Hi Community,
ich habe das Schaltverhalten eines IGBTs in einer Leistungselektronik aufgezeichnet. Gemessen wurde die Kollektor Emitter Spannung. Mir ist aufgefallen, dass vor dem kompletten Einschalten des IGBTs ein Peak entsteht. Sprich der IGBT erhöht in diesem Moment sein Durchlasswiderstand. Idealerweise sollte dieser Peak nicht vorhanden sein.
Hat jemand hierfür eine Erklärung? Bzw. eine mögliche Ursache? Kommt das von den parasitären Induktivitäten und Kapazitäten im Gate Kreis?
Vielen Dank im Voraus
Viele Grüße