Hallo,
Jain.
Wie du dem Datenblatt bereits entnommen hast, kann man Transistoren gar nicht mit einem so genauen hFE herstellen. Wenn du also 1’000 Transistoren kaufst, liegen deren hFE zwischen 200 und 450, gemäss deinem Datenblatt. Oft werden die Transistoren nach hFE gruppiert, was dann mit einem Buchstaben (meist A,B,C) hinter der Typenbezeichnung angezeigt wird. Ganz früher erhielten die Transistoren gerne auch Farbmarkierungen, je nach gemessenem hFE.
Damit muss nun der Entwickler leben!
Also ersinnt er im allgemeinen Schaltungen, bei welchen das Hfe nicht alleine die Verstärkung bestimmt.
Bei der Anwendung als Schalter besagt die Faustformel, dass man den Basisstrom etwa 10x grösser macht als nötig. Wenn ich das mit einem hFE von 400 so berechne, tut es dann ein Transistor mit einem Hfe von 40 gerade noch so. Allerdings weisst du natürlich nicht, an welche Vorgaben sich der Entwickler gehalten hat! Da muss man manchmal schnell nachrechnen,
Bei Verstärkern arbeitet man mit einer Gegenkopplung, die Verstärkung der Stufe wird dann durch die Widerstände bestimmt und ist dann immer kleiner als das hFE des Transistors.
Ein Problem ist noch, dass das hFE nicht wirklich eine Konstante ist. Das hFE gibt das Verhältnis von Kollektor- durch Basisstrom an und ist bei unterschiedlichen Strömen auch unterschiedlich. Wenn man jetzt stark ändernde Basisströme verstärkt, wird der kleinere Strom mit einem anderen Faktor verstärkt als der grössere. Dies führt zu Verzerrungen des Signals. Dies verbessert man mit der Gegenkopplung. Diese Gegenkopplung funktioniert umso besser je grösser der Quotient aus hFE und der Verstärkung des Stufe ist. Ein Transistor mit grösserem hFE bringt also zuerst einmal kleinere Verzerrungen.
Allerdings ist es aber auch so, dass mit zunehmendem hFE das Rauschen auch zunimmt.
Und ein weiteres Problem kann sein, dass mit grossem hFE die Schwingneigung der Stufe zu nimmt.
Aber in weiten Bereichen hat das hFE keinen wirklichen Einfluss auf die Funktion der Schaltung.
Noch etwas zu hFE und h12
1921 entwickelte Franz Breisig das Vierpol Modell.
Jedes elektronische Bauteil und ganze Schaltungen werden dabei als Blackbox mit 4 Anschlüssen betrachtet. Mit Matrizen kann man dann die Beeinflussung jedes Anschusses auf die anderen 3 beschreiben.
Hieraus wurde dann die die Zweitor Theorie abgeleitet, bei welcher zwei Anschlüsse den Eingang und 2 den Ausgang bilden, welche als Tore bezeichnet werden. Früher wurden Vierpol und Zweitor als Synonyme behandelt.
Bei beiden Modellen gibt es eine H-Matrize, und der Parameter H12 entspricht dem hFE in diesen Modellen. Manchmal findet man deshalb auch noch die Bezeichnung h12 für das hFE in Datenblättern.
hFE leitet sich, wie schon gesagt von der H-Matrix ab, das FE steht für Forward und Emitter, also der Einfluss des Basisstroms auf den Emitterstrom.
MfG Peter(TOO)